在50時代前,感應加熱設備關鍵有:工頻感應熔煉爐,電磁倍頻器,中頻發(fā)電機組和電子管震蕩器式高壓電源。50時代末可控硅的出現(xiàn)則意味著固體集成電路工藝為關鍵的當代電力電子學的剛開始。硅晶閘管的出現(xiàn)促進了感應力熱電源及中頻感應加熱設備運用的迅猛發(fā)展。


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迄今,在高頻(500Hz~10kHz)范圍之內,可控硅中頻感應加熱設備設備已替代了傳統(tǒng)式的中頻發(fā)電機組和電磁感應倍頻器。在高頻率范圍之內,因為晶閘管自身電源開關特點等主要參數(shù)的限定,給研發(fā)該頻率段的開關電源產生了挺大的技術水平,它務必根據(jù)更改電源電路拓撲結構才有將會保持。


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70時代末到80時代初,當代半導體材料微型機集成化生產加工技術性與輸出功率半導體技術的融合,為開發(fā)設計新式輸出功率集成電路工藝出示了標準,陸續(xù)出現(xiàn)了一大批全控型電力電子技術集成電路工藝,巨大地促進了電力電子學發(fā)展趨勢,為固態(tài)超音頻、高頻電源、中頻感應加熱設備的研發(fā)出示了堅實的基礎。


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1983年IGBT的面世進-步促進了感應加熱設備的發(fā)展趨勢，IGBT綜合性了MOS和雙極晶體管的優(yōu)勢,具備通態(tài)壓減少,電源開關速度更快,易驅動器等優(yōu)勢,自1988年處理了擎住難題后,功率髙速IGBT己變成諸多中頻感應加熱設備的元器件,頻率達到100kHz輸出功率達到MW級開關電源已可保持。



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